檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "Miin-Horng Juang".eadvisor (精準) and cdept.raw="光電工程研究所"
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如同Intel共同創辦人Gordon Moore提出的摩爾定律所描述，積體電路上，可容納的電晶體數目，約每隔兩年便會增加一倍，而這樣成長速度的幕後推手，就是晶片微縮技術所造就的，但傳統金屬氧化物半導…
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近幾年以來，由於通訊產品和平面顯示器的推陳出新，使得功率元件的需求量大幅地增加。為了順應電路積體化的潮流，而將功率元件與低壓電路整合在同一晶片上，因此傳統垂直式的絕緣閘極雙極性電晶體元件結構必須改成…
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隨著功率元件的需求提高，氮化鎵成為被廣泛應用的材料，因為和傳統的矽材料相比，而且氮化鎵有寬能隙、高崩潰電壓、熱穩定性佳、高峰電子速率等優點。氮化鎵和氮化鋁鎵接觸所形成的異質接面時，導致壓電極化…
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透明導電薄膜(Transparent Conductive Oxides ，簡稱TCO)近二十年成為了半導體產業常用到的材料。由於同時具備透光性以及導電性，可以應用各種光電產業元件。目前最常使用的透…
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壓控制振盪器為頻率合成器中之主要電路區塊之ㄧ，負責提供振盪信號輸出，電壓控制振盪器輸出信號的好壞將會直接影響整個頻率合成器的品質。。一個好的振盪器必須具有低相位雜訊之特性，以避免相鄰頻帶雜訊的混波轉…
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壓控振盪器與除頻器是頻率合成器電路中主要的電路之一。對壓控振盪器而言，低相位雜訊可避免相鄰雜訊訊號經由混波轉換的干擾。而振盪器的輸出則經由除頻器來達成降頻的工作，因此，除頻器需具有高頻操作，寬的操作…
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此論文提出了三個使用主動電感的注入鎖定除頻器，它們分別使用了標準台積電0.35微米SiGe BiCMOS製程、0.35微米和0.18微米CMOS製程去實現。 主動電感負載電路因為沒有被動電感所以非常…